Kingston HX318C10FK/4 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Средняя оценка

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Причины выбрать
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

69 71

Около 3% меньшая задержка

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.6 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.4 4.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 14900

Около 1.43 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 71
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 15.6
Скорость записи, Гб/сек

4.1 6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 21300

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1116 1650

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

модули RAM