RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
55
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
55
31
Velocità di lettura, GB/s
9.4
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2424
1860
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link