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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
33
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.1
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
18
Velocità di lettura, GB/s
8.0
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3971
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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