RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
54
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
30
Velocità di lettura, GB/s
9.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2355
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link