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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
15.2
写入速度,GB/s
8.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2355
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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