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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
54
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
37
Velocità di lettura, GB/s
9.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2438
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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