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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
54
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
37
读取速度,GB/s
9.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2438
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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