RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
79
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
79
Velocità di lettura, GB/s
10.0
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
1651
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link