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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
79
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
10
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
79
读取速度,GB/s
10.0
14.1
写入速度,GB/s
8.2
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
1651
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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