RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
79
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
10
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
79
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1651
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link