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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
11.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2361
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
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