RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3026
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link