RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3026
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link