RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3026
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link