RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3026
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link