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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
42
周辺 -40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
30
読み出し速度、GB/s
10.6
16.0
書き込み速度、GB/秒
9.0
10.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2423
3026
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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