Confronto tra le RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 16.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,404.5 13.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

35 104

Intorno -197% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

786 3306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns