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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
104
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
31
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3367
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
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