RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
104
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3367
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link