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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
104
Intorno -215% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
33
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3298
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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