RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
104
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
31
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3500
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link