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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
104
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
31
读取速度,GB/s
3,192.0
18.4
写入速度,GB/s
2,404.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3500
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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