RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
104
Intorno -247% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
30
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3273
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link