RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
104
Intorno -197% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
35
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3423
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link