RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
104
Intorno -181% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
37
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2804
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lenovo 16GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link