RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
104
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2804
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link