RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
104
Intorno -259% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
29
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2832
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link