RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
104
Intorno -225% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
32
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3593
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link