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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
104
Intorno -300% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
26
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2382
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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