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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
104
Intorno -174% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
38
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3206
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
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