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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
104
Intorno -225% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
32
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3430
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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