RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
104
左右 -225% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
32
读取速度,GB/s
3,192.0
19.5
写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3430
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link