RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
104
Intorno -215% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
33
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3082
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link