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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
104
左右 -215% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
33
读取速度,GB/s
3,192.0
16.0
写入速度,GB/s
2,404.5
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3082
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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