RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
74
Intorno -111% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
35
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2982
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link