RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
74
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2982
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link