RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
74
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2982
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link