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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
74
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
26
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3834
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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