Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,201.1 15.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 74

Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

74 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,178.4 18.7
Скорость записи, Гб/сек

2,201.1 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

508 3834

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 9905678-121.A00G 8GB

Kingston 9905678-121.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB

модули RAM