RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3834
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link