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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
74
Intorno -222% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
23
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3171
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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