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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
17.5
写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3171
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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Corsair CM2GSDS800D2 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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