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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
74
Intorno -208% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
24
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2761
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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