RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2761
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link