RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
69
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
29
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3409
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link