RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
69
72
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
72
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
1682
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link