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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
72
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
72
读取速度,GB/s
3,325.1
15.4
写入速度,GB/s
1,441.2
7.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
1682
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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