RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
69
Intorno -146% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
28
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3495
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link