RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
69
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3495
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link