RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
69
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
35
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2845
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link