RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2845
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link