RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
69
Intorno -214% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
22
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2682
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link